場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應管分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)兩大類。

　　與雙極型晶體管相比，具有如下特點

　　(1)場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID;

　　(2)場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大;

　　(3)它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好;

　　(4)它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數;

　　(5)場效應管的抗輻射能力強;

　　(6)由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

　　場效應管與普通晶體管有何異同

　　場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件。

　　場效應管的優(yōu)點

　　場效應管(fet)是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應用。場效應器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在集成電路中已經有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然現在多數已經內置了保護二極管，但稍不注意，也會損壞。所以在應用中還是小心為妙。

　　主要作用

　　1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

　　2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

　　3.場效應管可以用作可變電阻。

　　4.場效應管可以方便地用作恒流源。

　　5.場效應管可以用作電子開關。

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